防反接保護(hù)電路的應(yīng)用方案（下）

發(fā)布日期：2024-02-17 18:00:16瀏覽量：3940

承接上篇，我們知道了什么時(shí)候防反接保護(hù)，和一些防反接電路保護(hù)方案，接下來(lái)我們?cè)倭信e兩種供大家理解和參考。

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二極管+熱敏電阻+保險(xiǎn)絲防反接保護(hù)是利用NTC阻值較小且二極管壓降較小的特點(diǎn)，在輸入反接時(shí)，瞬間的電流使得NTC溫度升高，阻值減小，流過NTC和二極管的電流變得很大，將前面串聯(lián)的保險(xiǎn)絲熔斷，達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路的效果。這種保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，元器件較少，效果明顯。然而，它也存在一些不足之處，如在上電一瞬間，如果保險(xiǎn)絲熔斷速度較慢，仍有一個(gè)較小的上升脈沖；二極管的耐流值應(yīng)留有足夠的裕量，避免二極管損壞；當(dāng)負(fù)載阻抗較小或者工作電壓較小時(shí)，無(wú)法起到有效的保護(hù)作用，還是有可能反接燒毀；存在兩個(gè)二極管的壓降，可能對(duì)供電電壓有嚴(yán)格要求。

NMOS防反接保護(hù)電路利用NMOS管的開關(guān)特性，在輸入接法正確時(shí)，G極輸入高電平，MOS管開通，電路正常運(yùn)行；輸入反接時(shí)，G極輸入電平低，MOS管封鎖，DS無(wú)電流流過，且體二極管與電流輸入方向相反，MOS管斷路，從而保護(hù)后級(jí)電路。這種保護(hù)電路的優(yōu)點(diǎn)在于MOS管內(nèi)阻是毫歐級(jí)別，飽和壓降損耗較小，因此受干擾的影響較小，穩(wěn)定性較高。在低壓電路中防范效果極佳。然而，由于不同型號(hào)的NMOS管規(guī)格不同，需要針對(duì)具體型號(hào)進(jìn)行測(cè)試和調(diào)整。例如，如果輸入電壓較高時(shí)需要適當(dāng)更改G極串并聯(lián)電阻阻值或者在GS間并入穩(wěn)壓二極管以保護(hù)MOS管，VDS應(yīng)當(dāng)滿足最高反向電壓的電壓要求，否則體二極管可能被擊穿。尤其大電流時(shí)要考慮MOS管的耐流特性以及散熱問題。PMOS類似。

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而根據(jù)客戶產(chǎn)品的使用環(huán)境與性能需求來(lái)說(shuō)，靈活的使用最為合適的電路保護(hù)方案更為重要。例如在保險(xiǎn)絲和二極管防反接保護(hù)方案中，使用肖特基二極管相較于普通二極管來(lái)說(shuō)，肖特基二極管的耐壓更低，反向漏電流相對(duì)更大，但恢復(fù)速度快，適用于高頻整流場(chǎng)合。而保險(xiǎn)絲作為熔斷方式的電路次級(jí)保護(hù)元件，會(huì)在反接保護(hù)后燒壞，需要更換。所以實(shí)際使用時(shí)可以考慮選用合適規(guī)格與電氣特性的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，減少維護(hù)成本。

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熱保護(hù)電路的具體使用案例